• Cassa dipendente dalla luce del metallo della resistenza di PIR Sensor Module 8mm di OHM della cassa 10K del metallo
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Cassa dipendente dalla luce del metallo della resistenza di PIR Sensor Module 8mm di OHM della cassa 10K del metallo

Cassa dipendente dalla luce del metallo della resistenza di PIR Sensor Module 8mm di OHM della cassa 10K del metallo

Dettagli:

Luogo di origine: Dongguan, Guangdong, Cina
Marca: AMPFORT
Certificazione: ROHS
Numero di modello: LXD8516

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 100 pezzi
Prezzo: Negotiable
Imballaggi particolari: In serie, 40Pcs/bag, 5Bag/Box = 200Pcs, 2000PCS = scatola 10 = borsa 20 = 1 cartone
Tempi di consegna: 7-10 giorni feriali
Termini di pagamento: T/T, PAYPAL
Capacità di alimentazione: 10.000.000 pezzi al mese
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Nome: LDR dipendente dalla luce della resistenza 8mm Alloggio: Metallo
Diametro di Norminal: 8mm Gamma di temperatura ambiente: -30~+70℃
Resistenza leggera (a 10lux): 4~10 KΩ Resistenza scura (a 0 lux/min): MΩ
Valore di gamma (a 100-10lux): 0,6 Dissipazione di potere (a 25℃): 100mW
Max Voltage (a 25℃): 150VDC Picco di risposta spettrale (a 25℃): 560Nm
Evidenziare:

Cassa PIR Sensor Module del metallo

,

10K OHM PIR Sensor Module

,

resistenza dipendente dalla luce di 8mm

Descrizione di prodotto

LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici del fotoresistore della cassa del metallo 8mm

APPLICAZIONI TIPICHE Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm


* flash automatico per le macchine fotografiche

* controllo fotoelettrico

* controllo di luce della stanza

* controllo di luce della stanza
* Photomusical I.C.

* controllo industriale

* Photoswitch

* giocattoli elettronici

Descrizione Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

Le cellule fotocondutrici dei CD è una resistenza che ha fatto del materiale a semiconduttore ed il cambiamento di conduttanza con il variationg di luminanza. Il canbe delle cellule fotocondutrici dei CD manifatturiero con differenti figure e area illuminata basate sulle cellule fotocondutrici di questo characteristic.CdS è ampiamente usato in molte industrie, quali i giocattoli, le lampade, la macchina fotografica, ecc.

Caratteristiche Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

* a resina epossidica incapsulato
* risposta rapida
* piccola dimensione
* alta sensibilità
* prestazione di Rebliable
* buona caratteristica dello spettro

CHARACTERICTICS ELETTRO-OTTICO Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

Parametri Characterictics Unità
Resistenza leggera (a 10lux) 4-10 KΩ
Resistenza scura (a 0 lux/min) 0,5 MΩ
Valore di gamma (a 100-10lux) 0,6 r
Dissipazione di potere (a 25℃) 100 Mw
Max Voltage (a 25℃) 150 VCC
Picco di risposta spettrale (a 25℃) 560 nanometro
Gamma di temperatura ambiente -30~+70
Tempo di reazione Aumento spettrografia di massa 20
Tempo di reazione Diminuzione spettrografia di massa 30


Informazioni componenti Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

Nome componente ROSH Avviso
Rivestimento della resina --
CD NO Composizione che 100 PPM
Elettrodo --
Substrato ceramico --
Terminale del cavo --

DISEGNO SCHEMATICO Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

Cassa dipendente dalla luce del metallo della resistenza di PIR Sensor Module 8mm di OHM della cassa 10K del metallo 0

PROFILO Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm (unità: millimetro)

Cassa dipendente dalla luce del metallo della resistenza di PIR Sensor Module 8mm di OHM della cassa 10K del metallo 1

Specificazione di serie dei CD rivestiti metallo

Cassa dipendente dalla luce del metallo della resistenza di PIR Sensor Module 8mm di OHM della cassa 10K del metallo 2

Modello P/N Tensione di massimo

Impiegati dell'ambiente

Spettrale di punta

Luce

Resistenza

Resistenza scura

100/10

Risposta

tempo

(nanometro) Ev=10Lux @2856°K Ev=0Lux spettrografia di massa
(VCC) (KΩ) (MΩ) Tempo di aumento Tempo di caduta
TO-18 LXD4526 150 -30~+70 550 8-20 0,5 0,6 30 30
LXD4537 150 -30~+70 550 18-50 2 0,7 30 30
LXD4548 150 -30~+70 550 45-140 5 0,8 30 30
6 m. LXD6516 150 -30~+70 550 5-10 0,5 0,6 30 30
LXD6528 150 -30~+70 550 8-20 4 0,7 20 30
LXD6537 150 -30~+70 550 18-50 10 0,75 20 30
LXD6548 150 -30~+70 550 45-140 20 0,85 20 30
TO-5 LXD8516 150 -30~+70 560 5-10 0,5 0,5 20 30
LXD8528 150 -30~+70 560 8-20 2 0,7 20 30
LXD8638 150 -30~+70 560 30-50 5 0,8 20 30
LXD8649 150 -30~+70 560 45-140 10 0,8 20 30
TO-8 LXD12528 250 -30~+70 560 8-20 2 0,6 20 30
LXD12537 250 -30~+70 560 18-50 5 0,7 20 30
LXD12549 250 -30~+70 560 45-140 10 0,8 30 30

RISPOSTA SPETTRALE Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

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ILLUNINANCE contro RESISTENZA di FOTO Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

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CONDIZIONI DI PROVA Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

Resistenza leggera
Resistenza scura
Resistenza leggera: Una sorgente luminosa (2856k) a 10Lux
Resistenza scura: data@10sec, dopo avere tagliato il r=Lg della luce 10Lux (R10/R100)
Realizzabile
Cambiamento di Tempture
Prova
Tempture di altezza:: 70℃±5℃
Tempo: 30M
Luce di Incideng: collocazione scura
Tempo difficile: 24hr
Tempture basso:: - 30℃±5℃
Tempo: 30min
Luce incidente: sopra buio che dispone come a ricicli, verificando il tempo: 24hr
Realizzabile
Constant Tempture
Prova
Tempture: 40±5℃
Umidità: 90-95%
Luce incidente: collocazione scura
Tempo difficile: 48hr
Realizzabile
Cavo alto Tempture
Prova
Alla radice di cavo 90 gradi che curvano, 5mm sopra la radice, caricante
tassa 100g
Tempture di saldatura:: 260℃
Tempo di riscaldamento: Max.35, distanza fra saldatura e base: 5mm
Realizzabile

Pacchetto Del LDR dipendente dalla luce della resistenza delle cellule fotocondutrici 8mm

In serie, _> 40Pcs /bag- > 5Bag/Box = 200Pcs 2000PCS = scatola 10 = borsa 20 = 1 cartone

Cassa dipendente dalla luce del metallo della resistenza di PIR Sensor Module 8mm di OHM della cassa 10K del metallo 5

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