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Chip a più strati 0806 1206 protezione dell'impulso del varistore del varistore dei MOVIMENTI 175V
Dettagli:
| Luogo di origine: | Dongguan, Guangdong, Cina |
| Marca: | AMPFORT |
| Certificazione: | UL,ROHS,REACH |
| Numero di modello: | QV0604P271KTRA |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 2000PCS |
|---|---|
| Prezzo: | Negotiable |
| Imballaggi particolari: | Nastro, 2K per bobina |
| Tempi di consegna: | 2 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T, paypal, Western Union |
| Capacità di alimentazione: | 100.000.000 pezzi al mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Nome di prodotto: | Chip Metal Oxide Varistor a più strati 0806 | DIMENSIONE: | 0806 |
|---|---|---|---|
| VCA: | 175V | VCC: | 225V |
| Tensione del varistore: | 270V±10% | Vc: | 450V |
| Impiegati di funzionamento: | -40~+125℃ | MPQ: | Nastro, 2K per bobina |
| Evidenziare: | Varistore a più strati dei movimenti del chip,varistore di 0806 1206 movimenti,protezione dell'impulso 175Vvaristor |
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Descrizione di prodotto
Chip Metal Oxide Varistor a più strati 0806 1206 1210 1812 per il circuito principale del LED
Descrizione di Chip Metal Oxide Varistor a più strati
Il varistore a più strati del chip è uno SMD ha imballato il varistore. È fatto della tecnologia ceramica monolitica a più strati a semiconduttore e della struttura. Ha la piccola induttanza parassitaria, la piccola dimensione, l'alta efficienza di SMT, il breve tempo di reazione, l'alta temperatura di funzionamento e protezione il vantaggio di forte abilità. Si applica alla protezione di potere degli schemi lineari ad alta tensione dell'azionamento del LED e sopprime la sovracorrente transitoria causata dall'impulso di griglia, cortocircuito o sovraccarico nell'illuminazione del LED come pure sovratensione transitoria causata dalle fluttuazioni di tensione di griglia e dalla commutazione del carico induttivo, compreso IEC61000 -4-2, IEC61000-4-5 ed altri eventi transitori utilizzati nelle norme della compatibilità elettromagnetica (contabilità elettromagnetica).
Attualmente, l'industria del LED ha cominciato ad adottare le soluzioni lineari ad alta tensione integrate optoelettroniche per varie più piccole lampade ad incandescenza, lampade della lampadina, lampade piane, ecc. I componenti elettronici e le perle della lampada sono integrati sul substrato di alluminio allo stesso tempo, in modo da significa che tutte le componenti devono essere rattoppate. Di conseguenza, il varistore come un dispositivo di protezione deve anche adottare le componenti di SMD. L'originale ha prodotto in serie il varistore laminato del chip adatto a LED che accende la protezione di corrente alternata, 0604 - 1812, ha le caratteristiche di spessore sottile, di piccolo volume e di grande portata. Può sostituire il varistore alimentabile. , Con il fusibile, resistenza, la pila del ponte, può incontrare la prova combinata dell'onda sopra 1KV, che è abbastanza per soddisfare le esigenze della protezione del LED.
Caratteristiche di Chip Metal Oxide Varistor a più strati
* tipo di SMD adatto a montaggio ad alta densità
* rapporto di pressione eccellente e forte capacità di soppressione dell'onda di tensione
* varistore ad alta tensione, adatto a circuito di CA
* la piccola toppa di SMD, risparmia lo spazio e facilitare la produzione;
* l'alta soppressione dell'impulso, la capacità dell'impulso dello stesso volume è molto maggior delle TV;
* prestazione ad alta temperatura stabile, nessun ridurre le imposte a 125°C;
* perdita bassa IL corrente<5>
* non polarità bidirezionale, tensione limite inferiore;
* migliore della valutazione di infiammabilità UL94V-0;
* risponda alle norme di protezione dell'ambiente di RoHS
Applicazioni di Chip Metal Oxide Varistor a più strati
* usato per l'alimentazione elettrica, interfaccia di rete, illuminazione del LED.
* capace di sostituire parte del varistore al piombo.
Dimensione di Chip Metal Oxide Varistor a più strati (millimetri)
| Tipo | L (millimetro) | W (millimetro) | T (millimetro) | a (millimetro) |
| 0806 | 2,2 +0.2/-0.2 | 1,8 +0.2/-0.2 | 2,0 massimo. | 0.50±0.30 |
| 1206 | 3,2 +0.6/-0.4 | 1,8 +0.2/-0.2 | 2,0 massimo. | 0.50±0.30 |
| 1210 | 3,2 +0.6/-0.4 | 2,5 +0.4/-0.2 | 2,6 massimo. | 0.50±0.30 |
| 1812 | 4,5 +0.6/-0.2 | 3,2 +0.5/-0.2 | 3,5 massimo. | 0.60±0.30 |
| Parte | 1 | 2 | 3 |
| Componente | Semiconduttore di ZnO Ceramica per Chip Varistor |
Interno Elettrodo (AG o AG-palladio) |
Elettrodo terminale (Ag/Ni/Sn tre strati) |
Caratteristiche elettriche di Chip Metal Oxide Varistor a più strati
| Numero del pezzo. | Tensione di lavoro massima (V) | Varistore Tensione |
Max. Clamping Voltage | Operazione Ambientale Temperatura |
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| (v) | (8/20μs) | |||||
| CA | CC | V1mA | Vc (V) | CI (A) | ||
| QV0604P271KTRA | 175 | 225 | 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
| QV0604P431KT300 | 275 | 300 | 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
| QV0805P271KT151 | 175 | 225 | 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
| QV0805P431KT500 | 275 | 350 | 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
| QV0806P241KT201 | 150 | 200 | 240±10% | 395 | 1 | -40~+125℃ |
| QV0806P271KT201 | 175 | 225 | 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
| QV0806P431KT101 | 275 | 350 | 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
| QV1206P241KT351 | 150 | 200 | 240±10% | 395 | 1 | -40~+125℃ |
| QV1206P271KT301 | 175 | 225 | 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
| QV1206P431KT201 | 275 | 350 | 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
| QV1206P471KT201 | 300 | 385 | 470±10% | 775 | 1 | -40~+125℃ |
| QV1206P511KT101 | 320 | 410 | 510±10% | 850 | 1 | -40~+125℃ |
Metodo del pacchetto di Chip Metal Oxide Varistor a più strati
Nastro in bobina
| Tipo | Nastro | Quantità (pc/bobina) |
| 0806 | Nastro impresso | 2000 |
| 1206 | 2000 | |
| 1210 | 1500 | |
| 1812 | 3000 |